工商時報【元大投信台股暨大中華投資部協理楊寶杉】
產業透視： NAND FLASH無疑是當今半導體成長性最高的次產業，以位元成長率（bit growth）來看，NAND未來數年40～45％成長率是DRAM 15～20％產業複合成長率的2.5倍，產值約是DRAM產值450億美元的80～90％，可預見3年內整體NAND將超越DRAM產值。
網路流量的快速成長，行動網路興起需要存儲速度及成本優勢的存儲裝置，促使NAND在智慧型手機的大量導入，內建容量在iPhone的推動下更是激增到256 GB。同時供給側正進行結構性改變，從平面2D到立體3D NAND，需求面從手機內建的eMMC、消費性固態硬碟SSD到商用SSD，速度及存儲容量的要求更加凸顯NAND優勢，供需兩端皆面臨結構型變化，產業演變值得密切關注。
三星對記憶體市占率及獲利性皆有高度期許，現今DRAM供給面三星擁有約45％市占率，65％的Mobile DRAM市佔率以及全體DRAM產業獲利的70％份額，主導產業供需調整及價格走勢；反觀三星在NAND僅有約35％市佔率，在3D NAND產能及技術均領先對手一個世代以上，且在技術/良率優勢正拉大與對手的差距，可預見三星未來提高NAND的主導能力將會影響市場趨勢。
在一片看多NAND前景的研調單位資料時，在今年3D NAND資本支出高峰，新產能投放到市場後，未來價格戰發生其實機率甚高，供給端再度整合的歷史輪迴無可避免。回顧2010年之前的DRAM市場，三星的焦土政策讓對手痛不欲生，倒閉者大有人在，但經歷殘酷市場調整後，才有今日DRAM寡占市場的穩定獲利性。
在需求端上，相較先前的智慧型手機eMMC，SSD低搭配率基期及高容量規格，將是下一波需求的主要動能，雖然單位GB成本相較傳統HDD 仍高達2～3倍，但具備體積小、反應時間快及低耗能的優勢，近年在筆電及桌機搭用SSD呈現爆發性成長，DRAM eXchange預估筆電搭載SSD滲透率今年一舉突破30％，2017年滲透率更挑戰50％。
至於中國積極發展自主性NAND產業，但缺乏核心技術的累積，以及IP取得，觀察近期中國對外收購科技公司陸續遭到各國主管當局否決，未來對外取得核心技術更加困難，加上韓國三星電子及S油煙異味處理K海力士意識到中國興起對產業均態將是破壞者，與中國合作的意願不高。
操作建議：廚房油煙處理
受惠強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長，第4季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產品別價格續創年度新高，DRAM eXchange預估缺貨態勢將持續至2017年第一季，商用及消費型SSD合約價漲幅將超過10％，行動式相關產品的eMMC╱UFS價格漲幅油煙處理器將更高，對明年NAND展望是好的開始；明年起供給端陸續將2D轉3D及48/64 Layers新產能開出，初期低良率將扣減全體產業有效產能，大致上產業供需均往正向發展。但是相關個股的投資上，若後進者轉進3D NAND良率優於預期，三星面對的同業競爭如何因應，及各家產品結構/技術的優劣，屆時個股的表現將會明顯分歧。
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